三菱重工技報
    Vol. 40 No. 6 (2003)   先進技術特集
    特集　技術論文
    次世代半導体配線プロセス用メタル成膜装置

    Metal CVD for Interconnect Process in Next Semiconductor Devices
    坂本仁志
    Hitoshi Sakamoto
    小椋　謙
    Yuzuru Ogura
    大庭義行
    Yoshiyuki Ooba
    八幡直樹
    Naoki Yahata
    西森年彦
    Toshihiko Nishimori
    坂本仁志
    小椋　謙
    大庭義行
    八幡直樹
    西森年彦
    塩素プラズマを用いた新しい金属成膜法について報告する.この手法は,金属表面をエッチングし,原料として塩化金属を発生させるステージと,その原料が吸着した基板表面から塩素を引き抜くステージからなる.いずれのステージにおいても,塩素プラズマによって発生した原子状塩素が,成膜反応における主役を演じる.本手法により,銅は118 nm/minの速度で成膜され,抵抗率2.0μΩ·cm,塩素含有量15 ppmを示した.また,微細パターンへの埋め込みに対して銅膜はボトムアップ的成長を呈し,タンタルとともに将来的な半導体配線プロセスへの適用可能性を示した.

    製品・技術